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Bruker橢偏儀FilmTek 2000 PAR-SE
Bruker橢偏儀FilmTek 2000 PAR-SE
——用于幾乎所有先進薄膜或產品晶片測量的先進多模計量
FilmTek? 2000標準桿數-SE光譜橢圓偏振儀/多角度反射儀系統結合了專有的FilmTek技術，為從研發到生產的幾乎所有先進薄膜測量應用提供了業界精度、精度和多功能性。其標準的小點測量尺寸和模式識別能力使該系統成為表征圖案化薄膜和產品晶片的理想選擇。
作為我們組合計量產品線（“標準桿數-SE"）的一部分，FilmTek 2000標準桿數-SE能夠地滿足主流應用所需的平均厚度、分辨率和光譜范圍之外的測量要求，并由標準儀器提供。
它在超薄到薄膜（特別是多層堆疊中的薄膜）上提供了異常精確和可重復的厚度和折射率測量。此外，與傳統的橢偏儀和反射儀相比，該系統對這些樣品中的不均勻性更加敏感。這是FilmTek 2000標準桿數-SE多模設計的結果，該多模設計將基于高性能旋轉補償器的光譜橢圓偏振儀與我們的多角度差分偏振測量（MADP）和差分功率譜密度（DPSD）技術、擴展/寬光譜范圍DUV多角度偏振反射儀、我們拋物面鏡光學設計相結合，以及先進的Filmtek軟件。
允許同時確定：
·多層厚度
·折射率[n（λ）]
·消光（吸收）系數[k（λ）]
·能帶隙
·成分（例如，SiGex中的Ge百分比、GaxIn1-xAs中的Ga百分比、AlxGa1-xAs中的Al百分比等）
·表面粗糙度
·組分，空隙率
·結晶度/非晶化（例如多晶硅或GeSbTe薄膜）
·薄膜梯度
系統組件：
標準： | 可選： |
旋轉補償器設計的橢圓偏振光譜法（295nm-1700nm） | 各向異性測量（nx、ny、nz）的廣義橢圓偏振法（4×4矩陣泛化法） |
性能規格
膜厚范圍 | 0 ? to 150 μm |
膜厚精度 | ±1.0 ? for NIST traceable standard oxide 100 ? to 1 μm |
光譜范圍 | 190 nm - 1700 nm (220 nm - 1000 nm is standard) |
光斑尺寸的測量 | 25 μm - 300 μm (normal incidence); 2 mm (70°) |
樣本量 | 2 mm - 300 mm (150 mm standard) |
光譜分辨率 | 0.3 nm - 2nm |
光源 | Regulated deuterium-halogen lamp (2,000 hrs lifetime) |
探測器類型 | 2048 pixel Sony linear CCD array / 512 pixel cooled Hamamatsu InGaAs CCD array (NIR) |
帶自動聚焦的自動舞臺 | 300 mm (200 mm is standard) |
電腦 | Multi-core processor with Windows? 10 Operating System |
測量時間 | <1 sec per site (e.g., oxide film) |
Bruker橢偏儀FilmTek 2000 PAR-SE典型應用領域：
幾乎所有厚度從小于1?到約150μm的半透明膜都可以高精度測量。典型應用領域包括：
硅半導體
復合半導體
LED/OLED
具有靈活的硬件和軟件，可以輕松修改以滿足客戶需求，特別是在研發和生產環境中。
Film(s) | 厚度 | 測量參數 | 精確 (1σ) |
氧化物 / 硅 | 0 - 1000 ? | t | 0.03 ? |
1000 - 500,000 ? | t | 0.005% | |
1000 ? | t , n | 0.2 ? / 0.0001 | |
15,000 ? | t , n | 0.5 ? / 0.0001 | |
150.000 ? | t , n | 1.5 ? / 0.00001 | |
氮化物 /硅 | 200 - 10,000 ? | t | 0.02% |
500 - 10,000 ? | t , n | 0.05% / 0.0005 | |
光刻膠 /硅 | 200 - 10,000 ? | t | 0.02% |
500 - 10,000 ? | t , n | 0.05% / 0.0002 | |
多晶硅 / 氧化物 /硅 | 200 - 10,000 ? | t Poly , t Oxide | 0.2 ? / 0.1 ? |
500 - 10,000 ? | t Poly , t Oxide | 0.2 ? / 0.0005 |
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